TEM氮化硅薄膜窗口

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透射電鏡（TEM）用氮化硅薄膜窗口
產品概述：
與X射線用氮化硅窗口類似，透射電鏡（TEM）用氮化硅薄膜窗口也使用低應力氮化硅薄膜基底。但整體尺度更小，適合TEM裝樣的要求。窗口有單窗口和多窗口陣列等不同規格。同時SHNTI也定制多孔氮化硅薄膜窗口。

現在SHNTI可以提供透射電鏡（TEM）用氮化硅薄膜窗系列產品，規格如下：
外框尺寸:

• 3 mm x 3 mm （窗口尺寸：0.5 mm，薄膜厚度：50 nm）
• 3 mm x 3 mm （窗口尺寸：1.0 mm，薄膜厚度：50 nm）
• 3 mm x 3 mm （窗口尺寸：1.0 mm，薄膜厚度：100 nm）
• 窗口類別：雙縫、九窗格（3×3陣列）

邊框厚度： 200μm、381μm。 
Si3N4薄膜厚度： 50nm、100nm
SHNTI也可以為用戶定制產品（30-200nm），但要100片起訂。
本產品為一次性產品，SHNTI不建議用戶重復使用，本產品不能進行超聲清洗，適合化學清洗、輝光放電和等離子體清洗。

技術指標：
表面平整度：
我們認為薄膜與其下的硅片同樣平整， TEM用氮化硅薄膜窗口的表面粗糙度為：0.6-2nm。*適用于TEM表征。

親水性
該窗格呈疏水性，如果樣品取自水懸浮液，懸浮微粒則不能均勻地分布在薄膜上。用等離子蝕刻機對薄膜進行親水處理，可暫時獲得親水效果。雖然沒有對其使用壽命進行過測試，但預期可以獲得與同樣處理的鍍碳TEM網格相當的壽命。我們可以生產此種蝕刻窗格，但無法保證其使用壽命。如果實驗室有蝕刻工具也可對其進行相應的處理提高其親水性能。



溫度特性：
氮化硅薄膜窗口產品是耐高溫產品，能夠承受1000度高溫，非常適合在其表面利用CVD方法生長各種納米材料。

化學特性：
氮化硅薄膜窗口是惰性襯底。

應用簡介和優點：
1、 適合TEM、SEM、AFM、XPS、EDX等的對同一區域的交叉配對表征。
2、 大窗口尺寸，適合TEM大角度轉動觀察。
3、 無碳、無雜質的清潔TEM觀測平臺。
4、 背景氮化硅無定形、無特征。
5、 耐高溫、惰性襯底，適應各種聚合物、納米材料、半導體材料、光學晶體材料和功能薄膜材料的制備環境，（薄膜直接沉積在窗口上）。
6、 生物和濕細胞樣本的理想承載體。特別是在等離子體處理后，窗口具有很好的親水性。。
7、 耐高溫、惰性襯底，也可以用于化學反應和退火效應的原位表征。
8、 適合做為膠體、氣凝膠、有機材料和納米顆粒等的表征實驗承載體。

氮化硅薄膜應用范圍非常廣，甚至有時使不可能變為可能，但所有應用都有無氮要求（因樣本中有氮存在）：
惰性基片可用于高溫環境下，通過TEM、SEM或AFM（某些情況下）對反應進行動態觀察。
作為耐用基片，首先在TEM下，然后在SEM下對同一區域進行“匹配”。
作為耐用匹配基片，對AFM和TEM圖像進行比較。
聚焦離子束（FIB）樣本的裝載，我們*使用多孔薄膜，而非不間斷薄膜。


許多研究納米微粒，特別是含氮納米微粒的人員發現此種薄膜窗格在他們實驗中*。氣凝膠和干凝膠的基本組成微粒尺寸極小，此項研究人員也同樣會發現氧化硅薄膜窗格的價值。
優點：
• SEM應用中，薄膜背景不呈現任何結構和特點。
• x-射線顯微鏡中，裝載多個分析樣的*方法。
• 無氮
高溫應用，氮化硅薄膜在1000°C高溫下仍能保持穩定的性能。

使用前清潔：
氮化硅薄膜窗格在使用前不需進行額外清潔。有時薄膜表面邊角處會散落個別氧化物或氮化物碎片。由于單片網格需要從整個硅片中分離，并對外框進行打磨，因此這些微小碎片不可避免。盡管如此，我們相信這些碎片微粒不會對您的實驗產生任何影響。

如果用戶確實需要對這些碎片進行清理，我們建議用H2SO4 : H2O2 （1:1）溶液清潔有機物，用H2O:HCl: H2O2 （5:3:3）溶液清潔金屬。

通常不能用超聲波清洗器清潔薄膜，因超聲波可能使其粉碎性破裂。

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